上海海悅電子科技有限公司成立于2006年，公司自成立至今一直專注于安規(guī)與電磁兼容試驗(yàn)設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，公司的主要人員具有近20年的從業(yè)經(jīng)歷，有著豐富的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，已經(jīng)成功給多家大型認(rèn)證實(shí)驗(yàn)室提供過(guò)測(cè)試設(shè)備的規(guī)劃以及相應(yīng)試驗(yàn)設(shè)備供應(yīng)，公司自行生產(chǎn)數(shù)百種各類安規(guī)設(shè)備、試驗(yàn)儀器，并承接非標(biāo)定制試驗(yàn)設(shè)備。

公司一直以嚴(yán)謹(jǐn)?shù)膽B(tài)度，秉承“以誠(chéng)信為基石，提供專業(yè)的技術(shù)服務(wù)，完善的解決方案，高品質(zhì)的試驗(yàn)設(shè)備”的理念，不斷的完善售后服務(wù)，提高產(chǎn)品品質(zhì)，努力成為同行業(yè)的者.

公司同時(shí)代理銷售國(guó)內(nèi)外多家的安規(guī)設(shè)備廠商產(chǎn)品，包括：美國(guó)COMPWEST、意大利ATS、美國(guó)ED&D、臺(tái)灣鯨揚(yáng)、日本SOKEN、日本KIKUSUI、日本YOGOGAWA、臺(tái)灣艾普斯、日本SOKEN、日本ESPEC等等。

公司在電磁兼容領(lǐng)域提供完整的EMI與EMS設(shè)備，代理供應(yīng)包括歐洲EM-TEST、意大利AFJ、德國(guó)FRANKONIA、瑞士EMC－PARTNER、日本MORITA等眾多廠家產(chǎn)品，同時(shí)公司也是北京科環(huán)在華東區(qū)銷售網(wǎng)點(diǎn)。

大部分傳導(dǎo) EMI 問(wèn)題都是由共模噪聲引起的。而且，大部分共模噪聲問(wèn)題都是由電源中的寄生電容導(dǎo)致的。

對(duì)于該討論主題的第 1 部分，我們著重討論當(dāng)寄生電容直接耦合到電源輸入電線時(shí)會(huì)發(fā)生的情況

1. 只需幾 fF 的雜散電容就會(huì)導(dǎo)致 EMI 掃描失敗。從本質(zhì)上講，開(kāi)關(guān)電源具有提供高 dV/dt 的節(jié)點(diǎn)。寄生電容與高 dV/dt 的混合會(huì)產(chǎn)生 EMI 問(wèn)題。在寄生電容的另一端連接至電源輸入端時(shí)，會(huì)有少量電流直接泵送至電源線。

2. 查看電源中的寄生電容。我們都記得物理課上講過(guò)，兩個(gè)導(dǎo)體之間的電容與導(dǎo)體表面積成正比，與二者之間的距離成反比。查看電路中的每個(gè)節(jié)點(diǎn)，并特別注意具有高 dV/dt 的節(jié)點(diǎn)。想想電路布局中該節(jié)點(diǎn)的表面積是多少，節(jié)點(diǎn)距離電路板輸入線路有多遠(yuǎn)。開(kāi)關(guān) MOSFET 的漏極和緩沖電路是常見(jiàn)的罪魁禍?zhǔn)住?/span>

3. 減小表面面積有技巧。試著盡量使用表面貼裝封裝。采用直立式 TO-220 封裝的 FET 具有的漏極選項(xiàng)卡 (drain tab) 表面面積，可惜的是它通常碰巧是具有較高 dV/dt 的節(jié)點(diǎn)。嘗試使用表面貼裝 DPAK 或 D2PAK FET 取代。在 DPAK 選項(xiàng)卡下面的低層 PCB 上安放一個(gè)初級(jí)接地面板，就可良好遮蔽 FET 的底部，從而可顯著減少寄生電容。

有時(shí)候表面面積需要用于散熱。如果您必須使用帶散熱片的 TO-220 類 FET，嘗試將散熱片連接至初級(jí)接地（而不是大地接地）。這樣不僅有助于遮蔽 FET，而且還有助于減少雜散電容。

4. 讓開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)與輸入連接之間拉開(kāi)距離。見(jiàn)圖 1 中的設(shè)計(jì)實(shí)例，其中我忽視了這個(gè)簡(jiǎn)單原則。

圖 1. 讓輸入布線與具有高 dV/dt 的節(jié)點(diǎn)靠得太近會(huì)增加傳導(dǎo) EMI。

我通過(guò)簡(jiǎn)單調(diào)整電路板（無(wú)電路變化），將噪聲降低了大約 6dB。見(jiàn)圖 2 和圖 3 的測(cè)量結(jié)果。在有些情況下，接近高 dV/dt 進(jìn)行輸入線路布線甚至還可擊壞共模線圈 (CMC)。

圖 2. 從電路板布局進(jìn)行 EMI 掃描，其中 AC 輸入與開(kāi)關(guān)電路距離較近

圖 3. 從電路板布局進(jìn)行 EMI 掃描，其中 AC 輸入與開(kāi)關(guān)電路之間距離較大

您是否有過(guò)在顯著加強(qiáng)輸入濾波器后 EMI 改善效果很小甚至沒(méi)有改善的這種遭遇？這很有可能是因?yàn)橛幸恍﹣?lái)自某個(gè)高 dV/dt 節(jié)點(diǎn)的雜散電容直接耦合到輸入線路，有效繞過(guò)了您的 CMC。為了檢測(cè)這種情況，可臨時(shí)短路 PCB 上 CMC 的繞組，并將一個(gè)二級(jí) CMC 與電路板的輸入電線串聯(lián)。如果有明顯改善，您需要重新布局電路板，并格外注意輸入連接的布局與布線。