上海海悅電子科技有限公司成立于2006年，公司自成立至今一直專注于安規(guī)與電磁兼容試驗(yàn)設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，公司的主要人員具有近20年的從業(yè)經(jīng)歷，有著豐富的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，已經(jīng)成功給多家大型認(rèn)證實(shí)驗(yàn)室提供過測(cè)試設(shè)備的規(guī)劃以及相應(yīng)試驗(yàn)設(shè)備供應(yīng)，公司自行生產(chǎn)數(shù)百種各類安規(guī)設(shè)備、試驗(yàn)儀器，并承接非標(biāo)定制試驗(yàn)設(shè)備。

公司同時(shí)代理銷售國(guó)內(nèi)外多家的安規(guī)設(shè)備廠商產(chǎn)品，包括：美國(guó)COMPWEST、意大利ATS、美國(guó)ED&D、臺(tái)灣鯨揚(yáng)、日本SOKEN、日本KIKUSUI、日本YOGOGAWA、臺(tái)灣艾普斯、日本SOKEN、日本ESPEC等等。

公司在電磁兼容領(lǐng)域提供完整的EMI與EMS設(shè)備，代理供應(yīng)包括歐洲EM-TEST、意大利AFJ、德國(guó)FRANKONIA、瑞士EMC－PARTNER、日本MORITA等眾多廠家產(chǎn)品，同時(shí)公司也是北京科環(huán)在華東區(qū)銷售網(wǎng)點(diǎn)。

完善客戶的試驗(yàn)裝備、提升客戶的測(cè)試水平、增加客戶的滿意度是我們的努力目標(biāo)。相信藉由高品質(zhì)的試驗(yàn)設(shè)備和專業(yè)的技術(shù)服務(wù)，海悅會(huì)是您zui佳的合作伙伴！

一般電子產(chǎn)品都zui容易出的問題有：RE--輻射，CE--傳導(dǎo)，ESD--靜電。

通訊類電子產(chǎn)品不光包括以上三項(xiàng)：RE，CE，ESD，還有Surge--浪涌（雷擊，打雷）

醫(yī)療器械z(mì)ui容易出現(xiàn)的問題是：ESD--靜電，EFT--瞬態(tài)脈沖抗干擾，CS--傳導(dǎo)抗干擾，RS--輻射抗干擾。

針對(duì)于北方干燥地區(qū)，產(chǎn)品的ESD--靜電要求要很高。

針對(duì)于像四川和一些西南多雷地區(qū)，EFT防雷要求要很高。

如何提高電子產(chǎn)品的抗干擾能力和電磁兼容性：

1、下面的一些系統(tǒng)要特別注意抗電磁干擾：

（1）微控制器時(shí)鐘頻率特別高，總線周期特別快的系統(tǒng)。

（2）系統(tǒng)含有大功率，大電流驅(qū)動(dòng)電路，如產(chǎn)生火花的繼電器，大電流開關(guān)等。

（3）含微弱模擬信號(hào)電路以及高精度A/D變換電路的系統(tǒng)。

2、為增加系統(tǒng)的抗電磁干擾能力采取如下措施：

（1）選用頻率低的微控制器：

選用外時(shí)鐘頻率低的微控制器可以有效降低噪聲和提高系統(tǒng)的抗干擾能力。同樣頻率的方波和正弦波，方波中的高頻成份比正弦波多得多。雖然方波的高頻成份的波的幅度，比基波小，但頻率越高越容易發(fā)射出成為噪聲源，微控制器產(chǎn)生的zui有影響的高頻噪聲大約是時(shí)鐘頻率的3倍。

（2）減小信號(hào)傳輸中的畸變

微控制器主要采用高速CMOS技術(shù)制造。信號(hào)輸入端靜態(tài)輸入電流在1mA左右，輸入電容10PF左右，輸入阻抗相當(dāng)高，高速CMOS電路的輸出端都有相當(dāng)?shù)膸лd能力，即相當(dāng)大的輸出值，將一個(gè)門的輸出端通過一段很長(zhǎng)線引到輸入阻抗相當(dāng)高的輸入端，反射問題就很嚴(yán)重，它會(huì)引起信號(hào)畸變，增加系統(tǒng)噪聲。當(dāng)Tpd＞Tr時(shí)，就成了一個(gè)傳輸線問題，必須考慮信號(hào)反射，阻抗匹配等問題。

信號(hào)在印制板上的延遲時(shí)間與引線的特性阻抗有關(guān)，即與印制線路板材料的介電常數(shù)有關(guān)?？梢源致缘卣J(rèn)為，信號(hào)在印制板引線的傳輸速度，約為光速的1/3到1/2之間。微控制器構(gòu)成的系統(tǒng)中常用邏輯電話元件的Tr（標(biāo)準(zhǔn)延遲時(shí)間）為3到18ns之間。

在印制線路板上，信號(hào)通過一個(gè)7W的電阻和一段25cm長(zhǎng)的引線，線上延遲時(shí)間大致在4~20ns之間。也就是說，信號(hào)在印刷線路上的引線越短越好，zui長(zhǎng)不宜超過25cm。而且過孔數(shù)目也應(yīng)盡量少，zui好不多于2個(gè)。

當(dāng)信號(hào)的上升時(shí)間快于信號(hào)延遲時(shí)間，就要按照快電子學(xué)處理。此時(shí)要考慮傳輸線的阻抗匹配，對(duì)于一塊印刷線路板上的集成塊之間的信號(hào)傳輸，要避免出現(xiàn)Td＞Trd的情況，印刷線路板越大系統(tǒng)的速度就越不能太快。

用以下結(jié)論歸納印刷線路板設(shè)計(jì)的一個(gè)規(guī)則：信號(hào)在印刷板上傳輸，其延遲時(shí)間不應(yīng)大于所用器件的標(biāo)稱延遲時(shí)間。

（3）減小信號(hào)線間的交叉干擾：

A點(diǎn)一個(gè)上升時(shí)間為Tr的階躍信號(hào)通過引線AB傳向B端。信號(hào)在AB線上的延遲時(shí)間是Td。在D點(diǎn)，由于A點(diǎn)信號(hào)的向前傳輸，到達(dá)B點(diǎn)后的信號(hào)反射和AB線的延遲，Td時(shí)間以后會(huì)感應(yīng)出一個(gè)寬度為Tr的頁脈沖信號(hào)。在C點(diǎn)，由于AB上信號(hào)的傳輸與反射，會(huì)感應(yīng)出一個(gè)寬度為信號(hào)在AB線上的延遲時(shí)間的兩倍，即2Td的正脈沖信號(hào)。這就是信號(hào)間的交叉干擾。干擾信號(hào)的強(qiáng)度與C點(diǎn)信號(hào)的di/at有關(guān)，與線間距離有關(guān)。當(dāng)兩信號(hào)線不是很長(zhǎng)時(shí)，AB上看到的實(shí)際是兩個(gè)脈沖的迭加。

CMOS工藝制造的微控制由輸入阻抗高，噪聲高，噪聲容限也很高，數(shù)字電路是迭加100~200mv噪聲并不影響其工作。若圖中AB線是一模擬信號(hào)，這種干擾就變?yōu)椴荒苋萑獭Ｈ缬∷⒕€路板為四層板，其中有一層是大面積的地，或雙面板，信號(hào)線的反面是大面積的地時(shí)，這種信號(hào)間的交叉干擾就會(huì)變小。原因是，大面積的地減小了信號(hào)線的特性阻抗，信號(hào)在D端的反射大為減小。特性阻抗與信號(hào)線到地間的介質(zhì)的介電常數(shù)的平方成反比，與介質(zhì)厚度的自然對(duì)數(shù)成正比。若AB線為一模擬信號(hào)，要避免數(shù)字電路信號(hào)線CD對(duì)AB的干擾，AB線下方要有大面積的地，AB線到CD線的距離要大于AB線與地距離的2~3倍?？捎镁植科帘蔚?，在有引結(jié)的一面引線左右兩側(cè)布以地線。

（4）減小來自電源的噪聲

電源在向系統(tǒng)提供能源的同時(shí)，也將其噪聲加到所供電的電源上。電路中微控制器的復(fù)位線，中斷線，以及其它一些控制線zui容易受外界噪聲的干擾。電網(wǎng)上的強(qiáng)干擾通過電源進(jìn)入電路，即使電池供電的系統(tǒng)，電池本身也有高頻噪聲。模擬電路中的模擬信號(hào)更經(jīng)受不住來自電源的干擾。

（5）注意印刷線板與元器件的高頻特性

在高頻情況下，印刷線路板上的引線，過孔，電阻、電容、接插件的分布電感與電容等不可忽略。電容的分布電感不可忽略，電感的分布電容不可忽略。電阻產(chǎn)生對(duì)高頻信號(hào)的反射，引線的分布電容會(huì)起作用，當(dāng)長(zhǎng)度大于噪聲頻率相應(yīng)波長(zhǎng)的1/20時(shí)，就產(chǎn)生天線效應(yīng)，噪聲通過引線向外發(fā)射。

印刷線路板的過孔大約引起0.6pf的電容。

一個(gè)集成電路本身的封裝材料引入2~6pf電容。

一個(gè)線路板上的接插件，有520nH的分布電感。一個(gè)雙列直扦的24引腳集成電路扦座，引入4~18nH的分布電感。

這些小的分布參數(shù)對(duì)于這行較低頻率下的微控制器系統(tǒng)中是可以忽略不計(jì)的；而對(duì)于高速系統(tǒng)必須予以特別注意。

（6）元件布置要合理分區(qū)